Samsung Dan Qualcomm Bakal Disaman Kerana Penggunaan Paten FinFET 10 nm Tanpa Kebenaran

Samsung Dan Qualcomm Bakal Disaman Kerana Penggunaan Paten FinFET 10 nm Tanpa Kebenaran

Diterbitkan pada Dis 5, 2016 oleh .

Samsung dan Qualcomm bekerjasama menghasilkan pemproses Snapdragon 835 yang menggunakan teknologi FinFET 10 nm. Dengan teknologi baru ini cip pemproses yang lebih menjimatkan penggunaan tenaga dan mengurangkan penghasilan haba dapat dihasilkan. Snapdragon 835 dipercayai akan digunakan pada peranti Samsung Galaxy S8 tahun hadapan.

qualcomm-snapdragon-600e

Penghasilan pemproses ini didakwa menggunakan paten yang dipegang KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Pihak KAIST dilaporkan akan menyaman Samsung, Qualcomm, TSMC dan Global Foundries kerana menggunakan teknologi rekaan mereka tanpa membayar lesen paten.

KAIST mendakwa teknologi FinFET mereka “dicuri” oleh Samsung selepas seorang profesor dari Seoul National University melakukan pembentangan mengenai teknologi 10 nm kepada jurutera Samsung. Seoul National University adalah rakan teknologi KAIST. Jumlah saman yang bakal dikenakan masih belum diketahui.


TIPS & ULASAN