Samsung Merancang Untuk Hadir Dengan Cip 3nm Menjelang 2021

Samsung Merancang Untuk Hadir Dengan Cip 3nm Menjelang 2021

Diterbitkan pada Mei 15, 2019 oleh .

Samsung merupakan salah satu pengeluar peranti yang turut mempunyai penawaran semikonduktor mereka tersendiri. Terkini, gergasi elektronik dari Korea Selatan berkenaan mengumumkan mereka bakal hadir dengan cip 3-nanometer menjelang 2021 kelak.

Melalui cip 3nm, ia bakal menawarkan prestasi lebih 35% berbanding cip pada hari ini, selain mengurangkan penggunaan tenaga sehingga 50%. Ini sekaligus akan membolehkan pelbagai peranti mudah-alih untuk beroperasi untuk tempoh lebih lama berbanding pada hari ini untuk penggunaan tenaga bateri lebih kurang sama. Saiz cip juga dijangka 45% lebih kecil berbanding penawaran pada hari ini.

Untuk cip 3nm ini juga, Samsung menggunakan teknologi seni bina transistor yang dipanggil “Gate-All-Around” atau GAA. Teknologi seni bina ini juga dijangka akan membawa rekaan cip lebih kecil, termasuk pada siz 2nm mahupun 1nm pada masa akan datang.

Pada masa yang sama, Samsung turut dipetik mengatakan yang mana kini mereka menerajui dan mendahului pelbagai pesaing mereka yang lain dalam arena semikonduktor ini – termasuk TSMC dan juga Intel.


TIPS & ULASAN