Samsung Mula Membangunkan Memori DDR5 Menggunakan Proses EUV 14nm
Nazrin
Selain daripada membuat peranti dan perkakasan, Samsung juga cukup terkenal untuk membangunkan komponen-komponen untuk komputer dan peranti pintar juga. Syarikat teknologi dari Korea tersebut mengumumkan bahawa mereka telah mula membangunkan cip memori DDR5 menggunakan proses EUV 14nm (Extreme Ultraviolet), yang merupakan proses paling kecil untuk memori DRAM yang dapat dilihat setakat ini.
Samsung mengatakan bahawa proses EUV ini membolehkan mereka untuk membangunkan memori DRAM pada saiz 14nm, yang boleh dikatakan paling kecil di pasaran sekarang. Proses sebelum ini yang menggunakan Argon Fluorida (ArF) sukar untuk sesiapa pun membangunkan DRAM pada saiz tersebut.
Samsung mengatakan bahawa DRAM 14nm mereka bukan sahaja akan hadir dengan kapasiti lebih besar, tetapi juga kelajuan penghantaran data 7.2Gbps, dua kali jauh lebih laju daripada apa yang ditawarkan oleh memori DDR4, disamping menawarkan penggunaan kuasa jauh lebih rendah juga.
Samsung mengatakan mereka akan memasarkan penawaran memori DDR5 yang dibangunkan mereka untuk tujuan pemerkasaan rangkaian 5G, kecerdasan buatan, pusat data, sistem adikomputer dan sebagainya. Seperti yang kami laporkan sebelum ini, Intel akan melancarkan siri CPU Alder Lake mereka yang akan menyokong memori ini, tetapi untuk memori yang dibangunkan Samsung, kami menjangka ia akan digunakan bersama-sama sistem Intel Xeon dan sebagainya akan datang.