Samsung hari ini mengumumkan bahawa mereka telah berjaya mengeluarkan cip pertama menggunakan teknologi pengeluaran 3nm menggunakan senibina transistor Gate-All-Around (GAA). Ini sekaligus menjadikan mereka yang pertama di dunia memulakan pengeluaran 3nm pada skala besar-besaran mengalahkan TSMC yang juga akan mengeluarkan cip 3nm mereka tahun ini.
Menurut Samsung dengan teknologi 3nm, pengurangan penggunaan kuasa sehingga 45%, peningkatan prestasi sehingga 23% pada kuasa yang sama dan saiz fizikal 16% lebih kecil dapat dinikmati berbanding 5nm. Tetapi menerusi teknik 3nm yang seterusnya, pengurangan kuasa akan meningkat ke 50%, pengurangan kuasa 30% dan pengurangan saiz 35% akan dapat dilakukan.
