Samsung Dijangka Memperkenalkan Memori Bertindan SAINT-D HBM 4 Pada Tahun Ini

Samsung ialah sebuah jenama teknologi yang sangat dikenali untuk peranti-peranti elektronik. Mereka juga cukup popular untuk penawaran komponen-komponen dalaman seperti cip semikonduktor yang digunakan untuk memori, storan dan juga cip pemprosesan yang dimanfaatkan oleh pelbagai syarikat-syarikat lain.

Terkini, Samsung nampaknya mengesahkan bahawa mereka akan memperkenalkan penawaran memori HBM 4 (High Bandwidth Memory) mereka tersendiri yang dibina menggunakan teknologi yang dinamakan Samsung Advanced Interconnection Technology-D ataupun SAINT-D.

Teknologi sambungan cip SAINT ini bukanlah sesuatu yang baru, dan telahpun digunakan oleh Samsung untuk beberapa komponen lain seperti SRAM dan juga cip logik lain untuk ditindankan diatas cip logik sendiri seperti CPU.

Tetapi dengan SAINT-D, ia adalah kali pertama Samsung memperlihatkan penggunaan memori bertindan (3D Memory) yang dipasang secara terus keatas komponen CPU, GPU ataupun SoC. Dengan teknologi ini, Samsung dilihat boleh menawarkan konfigurasi memori pada SoC bergantung kepada apa yang pelanggan tersebut perlukan. Sebagai contoh, kad grafik NVIDIA seterusnya, Rubin dijangka akan menggunakan memori HBM 4 kelak apabila ia dilancarkan pada tahun 2026.

Sewaktu acara Samsung Foundry Forum tempohari, syarikat tersebut telah mengumumkan bahawa pemasangan memori HBM 4 pada SoC ini adalah untuk manfaat tugasan pembelajaran mesin dan pemprosesan kecerdasan buatan dan tugasan-tugasan adi komputer lain yang memerlukan akses memori yang pantas.

Samsung mengatakan bahawa memori SAINT-D HBM 4 mereka ini akan mula dibangunkan pada tahun ini, dan akan diberi ke klien-klien terpilih untuk disampel dan diuji sebelum ia dipasarkan secara besar-besaran.

[sumber]Korean Economic Daily[/sumber]