Samsung baru-baru ini telah memperlihatkan komponen cip V-NAND generasi ke-10 mereka, yang akan dibangunkan untuk menguasakan storan SSD yang bukan sahaja tampil dengan jumlah storan yang besar, tetapi juga mempunyai kadar penghantaran data yang sangan pantas.
Cip V-NAND generasi ke-10 Samsung ini tampil dengan lebih dari 400 lapis, yang membolehkan setiap satu daripada cip V-NAND ini untuk tampil dengan storan sebanyak 1Tb ataupun 128GB pada setiap cip. Lebih menarik lagi, cip V-NAND generasi ke-10 Samsung ini menggunakan teknologi TLC dan bukan QLC.
Kelebihan yang diperlihatkan pada cip TLC ialah kadar pembacaan dan penulisan data yang lebih pantas, walaupun cip QLC hadir dengan kapasiti storan yang lebih besar. Walaupun begitu, Samsung mengatakan setiap cip V-NAND generasi ke-10 ini hadir dengan ketumpatan data sebanyak 28 Gb/mm², yang tidak jauh daripada cip 1Tb V-NAND QLC Samsung yang tampil dengan ketumpatan data sebanyak 28.5 Gb/mm².
Bercakap mengenai kadar pembacaan dan penulisan data yang tinggi, Samsung mengatakan bahawa setiap cip ini hadir dengan kelajuan antaramuka 5.6MT. Dengan ini, ia dikatakan bahawa 20 cip ini dalam satu papan litar adalah cukup pantas untuk memaksimakan kadar penghantaran data sebuah SSD PCIe 5.0.
Buat masa ini, ia dilihat bahawa cip ini akan digunakan dalam storan SSD PCIe 5.0 Samsung pada tahun depan, yang akan memperlihatkan pilihan storan dari 4TB sehingga 8TB untuk SSD PCIe tersebut. Samsung juga mengatakan bahawa cip V-NAND tersebut boleh digunakan dalam SSD PCIe 6.0 yang akan diperkenalkan kelak.