Teknologi Memori DDR6 Kini Mula Memasuki Fasa Pembangunan Awal

Tatkala pasaran pengguna kini rata-rata banyak menghadapi masalah untuk mengakses komponen RAM untuk peranti dan perkakasan elektronik, syarikat-syarikat pengeluar memori terbesar dunia, termasuklah Samsung, SK Hynix dan Micron rata-rata dilihat telah memulakan fasa pembangunan komponen memori generasi akan datang: DDR6.

Ketiga-tiga syarikat ini dilaporkan sudah meminta pembekal dan pereka substrat untuk membekalkan rekaan cip memori terbaru tersebut, walaupun piawaian untuk teknologi memori ini belum ditetapkan oleh JEDEC lagi.

Menurut laporan The Elec, permintaan awal ini adalah supaya pembangunan dan ujian memori DDR6 boleh dipercepatkan lagi, dan pengeluaran kit ujian komponen memori tersebut boleh dihasilkan secepat mungkin, yang mana ia boleh diuji sejurus selepas piawaian teknologi disahkan oleh JEDEC.

Syarikat-syarikat pengeluar memori ini telah meminta spesifikasi seperti ketebalan memori, struktur substrat dan halatuju isyarat untuk membolehkan mereka mempercepatkan proses pembangunan memori tersebut.

Menurut pengumuman awal oleh JEDEC, memori DDR6 dijangka akan hadir dengan kelajuan memori sepantas 17.6Gbps pada awalnya, yang mana ia adalah kira-kira 2 kali lebih pantas berbanding dengan penawaran memori DDR5 hari ini, yang memperlihatkan kadar penghantaran data 8000-9000MT/s yang merupakan diantara memori DDR5 terpantas hari ini.

Secara lazimnya, pembangunan teknologi memori akan mengambil masa beberapa tahun sebelum produk memori seperti RAM mula diperkenalkan secara besar-besaran. Oleh kerana fasa pembangunan ini masih berada dalam tahap yang sangat awal, ia mungkin hanya 2-3 tahun sebelum memori ini akan digunakan secara besar-besaran sama ada oleh sektor pengguna mahupun AI.

[sumber]The Elec[/sumber]